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SI8487DB-T1-E1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	4-Microfoot
Paket / Fall	4-UFBGA

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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