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IR (Infineon Technologies) / IPD33CN10NGBUMA1

IPD33CN10NGBUMA1

Hersteller-Teilenummer: IPD33CN10NGBUMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Datenblätter: IPD33CN10NGBUMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.27A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 29µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 50 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)58W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TO252-3
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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