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IPD30N06S2L13ATMA4

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.8 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3-11
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 11396

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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