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IPD50N04S308ATMA1

Hersteller-Teilenummer:	IPD50N04S308ATMA1
Hersteller:	Rochester Electronics
Teil der Beschreibung:	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2.35 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	68W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TO252-3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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