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Hersteller-Teilenummer: | IPD50R500CEBTMA1 |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Teil der Beschreibung: | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Datenblätter: | IPD50R500CEBTMA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | CoolMOS™ |
Paket | Bulk |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
FET-Funktion | Super Junction |
Verlustleistung (max.) | 57W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lagerbestand: 15921
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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