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IRF253

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	25A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	150W
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-204AE (TO-3)
Paket / Fall	TO-204AE

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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