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IRF2907ZPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7500 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 3503

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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