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SI3430DV-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.14W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1919

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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