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SI3473CDV-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	65 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2010 pF @ 6 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-TSOP
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 15730

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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