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STMicroelectronics / STB18N60DM2

STB18N60DM2

Hersteller-Teilenummer: STB18N60DM2
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Datenblätter: STB18N60DM2 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™ DM2
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs295mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)90W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 473

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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