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STMicroelectronics / STB11N65M5

STB11N65M5

Hersteller-Teilenummer: STB11N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N CH 650V 9A D2PAK
Datenblätter: STB11N65M5 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™ V
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs17 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds644 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)85W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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