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IRLR3636TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	49 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3779 pF @ 50 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	143W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-Pak
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 18580

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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