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IRLR110ATM

Hersteller-Teilenummer:	IRLR110ATM
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK
Datenblätter:	IRLR110ATM Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440mOhm @ 2.35A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	8 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D-Pak
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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