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Vishay / Siliconix / SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3

Hersteller-Teilenummer: SQ2362ES-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Datenblätter: SQ2362ES-T1_GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs12 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds550 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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