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Vishay / Siliconix / SQ2364EES-T1_GE3

SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller-Teilenummer: SQ2364EES-T1_GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Datenblätter: SQ2364EES-T1_GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Lagerbestand: 422

Minimum: 1

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