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Rochester Electronics / BSM75GB170DN2HOSA1

BSM75GB170DN2HOSA1

Hersteller-Teilenummer: BSM75GB170DN2HOSA1
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: IGBT, 110A I(C), 1700V V(BR)CES,
Datenblätter: BSM75GB170DN2HOSA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusActive
IGBT-Typ-
AufbauHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1.7 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)110 A
Leistung max625 W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic3.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce11 nF @ 25 V
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 1015

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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Frachtberechnung

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