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Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VS-GT200TP065N

VS-GT200TP065N

Hersteller-Teilenummer: VS-GT200TP065N
Hersteller: Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung: IGBT MOD 650V 221A INT-A-PAK
Datenblätter: VS-GT200TP065N Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusObsolete
IGBT-TypTrench
AufbauHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)221 A
Leistung max600 W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.12V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)60 µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingangStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Paket / FallINT-A-Pak
LieferantengerätepaketINT-A-PAK
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