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19MT050XF

Hersteller-Teilenummer:	19MT050XF
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Teil der Beschreibung:	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Datenblätter:	19MT050XF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Funktion	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	160nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7210pF @ 25V
Leistung max	1140W
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	16-MTP Module
Lieferantengerätepaket	16-MTP

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	19MT050XF Vishay General Semiconductor – Diodes Division

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