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BSM120C12P2C201

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel
FET-Funktion	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 22mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	14000pF @ 10V
Leistung max	935W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	Module

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 12

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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