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RJM0603JSC-00#12

Hersteller-Teilenummer:	RJM0603JSC-00#12
Hersteller:	Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Datenblätter:	RJM0603JSC-00#12 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	Automotive, AEC-Q101
Paket	Tray
Teilestatus	Active
FET-Typ	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Leistung max	54W
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket	20-HSOP

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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