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WeEn Semiconductors Co., Ltd / BYV30JT-600PQ

BYV30JT-600PQ

Hersteller-Teilenummer: BYV30JT-600PQ
Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Teil der Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Datenblätter: BYV30JT-600PQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)30A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.8 V @ 30 A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)65 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10 µA @ 600 V
Kapazität @ Vr, F.-
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)
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