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WeEn Semiconductors Co., Ltd / WNSC201200CWQ

WNSC201200CWQ

Hersteller-Teilenummer: WNSC201200CWQ
Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Teil der Beschreibung: SILICON CARBIDE POWER DIODE
Datenblätter: WNSC201200CWQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusActive
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io)20A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6 V @ 10 A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr110 µA @ 1200 V
Kapazität @ Vr, F.510pF @ 1V, 1MHz
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle175°C (Max)
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 480

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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