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GT60N321(Q)

Hersteller-Teilenummer:	GT60N321(Q)
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Datenblätter:	GT60N321(Q) Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	60 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)	120 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 60A
Leistung max	170 W
Energie schalten	-
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.	330ns/700ns
Testbedingung	-
Reverse Recovery Time (trr)	2.5 µs
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-3PL
Lieferantengerätepaket	TO-3P(LH)

KAUFOPTIONEN

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

Beliebte Modelle

	GT60N321(Q) Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

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