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IR (Infineon Technologies) / SIGC12T60NCX1SA4

SIGC12T60NCX1SA4

Hersteller-Teilenummer: SIGC12T60NCX1SA4
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: IGBT 3 CHIP 600V WAFER
Datenblätter: SIGC12T60NCX1SA4 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketBulk
TeilestatusObsolete
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600 V
Strom - Kollektor (Ic) (Max)10 A
Strom - Sammler gepulst (Icm)30 A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 10A
Leistung max-
Energie schalten-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/110ns
Testbedingung300V, 10A, 27Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallDie
LieferantengerätepaketDie
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Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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