Microsemi / APTM120DA68T1G
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APTM120DA68T1G
| Hersteller-Teilenummer: | APTM120DA68T1G |
| Hersteller: | Microsemi |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 15A SP1 |
| Datenblätter: | APTM120DA68T1G Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | Bulk |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 816mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 260 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6696 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 357W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SP1 |
| Paket / Fall | SP1 |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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