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2N7640-GA

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	16A (Tc) (155°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 16A
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1534 pF @ 35 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	330W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-276
Paket / Fall	TO-276AA

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