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TPN2R805PL,L1Q

Hersteller-Teilenummer:	TPN2R805PL,L1Q
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 45V 139A/80A 8TSON
Datenblätter:	TPN2R805PL,L1Q Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSIX-H
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	45 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	139A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3.2 nF @ 22.5 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.67W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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Ankunft in 3-5 Tagen

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