Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / SSM3J66MFV,L3F
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SSM3J66MFV,L3F
| Hersteller-Teilenummer: | SSM3J66MFV,L3F |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 800MA VESM |
| Datenblätter: | SSM3J66MFV,L3F Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J66MFV,L3F ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | U-MOSVI |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 800mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 390mOhm @ 800mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | +6V, -8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
| Paket / Fall | SOT-723 |
Lagerbestand: 7265
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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