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MMIX1T660N04T4

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	660A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850µOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	860 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	44000 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	830W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	24-SMPD
Paket / Fall	24-PowerSMD, 21 Leads

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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