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Microsemi / JANTXV2N6766T1

JANTXV2N6766T1

Hersteller-Teilenummer: JANTXV2N6766T1
Hersteller: Microsemi
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA
Datenblätter: JANTXV2N6766T1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/543
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs115 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)4W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-254AA
Paket / FallTO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
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