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TK099V65Z,LQ

Hersteller-Teilenummer:	TK099V65Z,LQ
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN
Datenblätter:	TK099V65Z,LQ Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	DTMOSVI
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	30A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.27mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2780 pF @ 300 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	5-DFN (8x8)
Paket / Fall	4-VSFN Exposed Pad

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 932

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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