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Hersteller-Teilenummer: | RTQ025P02HZGTR |
Hersteller: | ROHM Semiconductor |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 |
Datenblätter: | RTQ025P02HZGTR Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 580 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 950mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lagerbestand: 975
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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