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CP802-CWDM3011P-CT

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tray
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 8 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Die
Paket / Fall	Die

KAUFOPTIONEN

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Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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