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Hersteller-Teilenummer: | TH58BYG2S3HBAI4 |
Hersteller: | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
Teil der Beschreibung: | IC FLASH 4GBIT 63TFBGA |
Datenblätter: | TH58BYG2S3HBAI4 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | Benand™ |
Paket | Tray |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle | - |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Spannungsversorgung | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 63-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
Lagerbestand: 210
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet