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Micron Technology / EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR

Hersteller-Teilenummer: EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR
Hersteller: Micron Technology
Teil der Beschreibung: IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Datenblätter: EDB5432BEBH-1DAUT-F-R TR Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusActive
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße512Mb (16M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannungsversorgung1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TC)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall134-VFBGA
Lieferantengerätepaket134-VFBGA (10x11.5)
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