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Hersteller-Teilenummer: | IDT70P3337S250RM |
Hersteller: | Renesas Electronics America |
Teil der Beschreibung: | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA |
Datenblätter: | IDT70P3337S250RM Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tray |
Teilestatus | Obsolete |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II |
Speichergröße | 9Mb (512K x 18) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 250 MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 6.3 ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 576-BBGA, FCBGA |
Lieferantengerätepaket | 576-FCBGA (25x25) |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet