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Renesas Electronics America / IDT70P3337S250RM

IDT70P3337S250RM

Hersteller-Teilenummer: IDT70P3337S250RM
Hersteller: Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 576FCBGA
Datenblätter: IDT70P3337S250RM Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTray
TeilestatusObsolete
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
Speichergröße9Mb (512K x 18)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz250 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit6.3 ns
Spannungsversorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall576-BBGA, FCBGA
Lieferantengerätepaket576-FCBGA (25x25)
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Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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