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NXP Semiconductors / PDTD113ZS,126

PDTD113ZS,126

Hersteller-Teilenummer: PDTD113ZS,126
Hersteller: NXP Semiconductors
Teil der Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Datenblätter: PDTD113ZS,126 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Box (TB)
TeilestatusObsolete
TransistortypNPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max)500 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50 V
Widerstand - Basis (R1)1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA
Frequenz - Übergang-
Leistung max500 mW
BefestigungsartThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3
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