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FJV3110RMTF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
Transistortyp	NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (Max)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)	40 V
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)	-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang	250 MHz
Leistung max	200 mW
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket	SOT-23-3

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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