Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / RN1112MFV,L3F
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RN1112MFV,L3F
| Hersteller-Teilenummer: | RN1112MFV,L3F |
| Hersteller: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Teil der Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM |
| Datenblätter: | RN1112MFV,L3F Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation RN1112MFV,L3F ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | - |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100 mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50 V |
| Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 150 mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-723 |
| Lieferantengerätepaket | VESM |
Lagerbestand: 8000
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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