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IR (Infineon Technologies) / BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1

Hersteller-Teilenummer: BSC0910NDIATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Datenblätter: BSC0910NDIATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-FunktionLogic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 12V
Leistung max1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
LieferantengerätepaketPG-TISON-8
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 4436

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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40 US-Dollar von FedEx.

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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