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Texas Instruments / TPS1120DR

TPS1120DR

Hersteller-Teilenummer: TPS1120DR
Hersteller: Texas Instruments
Teil der Beschreibung: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
Datenblätter: TPS1120DR Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)15V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs5.45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung max840mW
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC
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