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Rochester Electronics / IRF7311PBF

IRF7311PBF

Hersteller-Teilenummer: IRF7311PBF
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: HEXFET POWER MOSFET
Datenblätter: IRF7311PBF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs27nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds900pF @ 15V
Leistung max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO
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