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Hersteller-Teilenummer: | IPG20N06S4L14AATMA1 |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON |
Datenblätter: | IPG20N06S4L14AATMA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2890pF @ 25V |
Leistung max | 50W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount, Wettable Flank |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-10 |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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