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ROHM Semiconductor / US6J11TR

US6J11TR

Hersteller-Teilenummer: US6J11TR
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Datenblätter: US6J11TR Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs2.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 6V
Leistung max320mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketTUMT6
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 661

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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40 US-Dollar von FedEx.

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