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IR (Infineon Technologies) / BSO303PNTMA1

BSO303PNTMA1

Hersteller-Teilenummer: BSO303PNTMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Datenblätter: BSO303PNTMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs72.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1761pF @ 25V
Leistung max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LieferantengerätepaketP-DSO-8
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