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Vishay / Siliconix / SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer: SIS903DN-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Datenblätter: SIS903DN-T1-GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieTrenchFET® Gen III
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2565pF @ 10V
Leistung max2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual
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Lagerbestand: 1986

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