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CAB425M12XM3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CAB425M12XM3
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion	Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	450A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 425A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 115mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	1135nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	30.7nF @ 800V
Leistung max	50mW
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Module
Lieferantengerätepaket	-

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