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Rochester Electronics / BSO211P

BSO211P

Hersteller-Teilenummer: BSO211P
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: P-CHANNEL POWER MOSFET
Datenblätter: BSO211P Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs23.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds920pF @ 15V
Leistung max2W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LieferantengerätepaketP-DSO-8
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Minimum: 1

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