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FDS3812

Hersteller-Teilenummer:	FDS3812
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Datenblätter:	FDS3812 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	PowerTrench®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	74mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	634pF @ 40V
Leistung max	900mW
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOIC

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