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AUIRF9952QTR

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N and P-Channel
FET-Funktion	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	190pF @ 15V
Leistung max	2W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SO

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 44000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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